设备优化降铟

迈为PVD设备对于100%铟基靶材的理论单耗已从近20mg/W降至13.5mg/W，旧设备亦可升级。在2023年末迈为提供的HJT电池整线解决方案中，对于100%铟基靶材的理论单耗可降低到12mg/W左右。

低铟叠层膜降铟

将低铟叠层膜方案（50%无铟）与上述设备改进方案相结合，铟基靶材理论单耗可降低至6mg/W左右。通过持续不断的工艺研发，迈为采用50%铟基+50%非铟基叠层TCO制备的异质结电池，其转换效率已可与全铟基TCO电池持平。同时，低铟基方案具备良好的可靠性与稳定性，与铜电镀以及银包铜等低成本方案亦可完美结合。

规模化铟回收

异质结产业的规模正日益扩大，铟材料的回收可进一步实现，结合无铟靶材的逐步深入，GW级HJT电池工厂的铟用量将有望降低1mg/W。

PED设备

PED设备由PVD和RPD结合而来，性价比更高。PED可使用高迁移率的靶材，从而提效；还可使用无铟的靶材，从而降本。新型的采用独特的方式实现RPD和PVD的结合以制备HJT电池，电池片一侧的TCO薄膜采用PVD方式沉积制备，另一侧的TCO薄膜采用RPD+PVD的方式制备成复合膜，既提高了两侧PVD薄膜的能量转化效率，还实现了不对RPD设备过度依赖，避免了因RPD设备产能小而受限的问题。

由下表可见采用RPD镀膜，在靶材迁移率和透过率方面均存在巨大优势。但RPD的设备成本高，且设备产能不高。采用RPD+PVD结合的方式镀膜，只需要RPD膜层占整体厚度的1/8(或以上)时，就能与全部采用RPD制备的薄膜性能相同甚至更优，同时兼顾到了性能和成本。

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根据欧莱新材的光伏靶材降本规划，截至2024年8月降铟量25%的一代靶材已经量产，虽然能够降低PVD环节的17%的生产成本，但会带来0.03-0.05%的效率损失。相比之下，采用PED靶材能够翻倍提高靶材的迁移率并翻倍降低铟用量，最终还能带来0.1+%的效率提升。

来源：晶格半导体

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